
IL717ETR13
Descripción
Parámetros técnicos
Productos relacionados:
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Pieza del fabricante |
IL717 |
IL717E |
IL717ETR13 |
IL717ETR7 |
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Descripción |
Aislador digital |
Aislador digital |
Aislador digital |
Aislador digital |
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Existencias |
30000 |
30000 |
30000 |
30000 |
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Estado del producto |
Activo |
Activo |
Activo |
Activo |
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Tecnología |
Acoplamiento capacitivo |
Acoplamiento capacitivo |
Acoplamiento capacitivo |
Acoplamiento capacitivo |
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Tipo |
Propósito general |
Propósito general |
Propósito general |
Propósito general |
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Aislamiento de voltaje |
2,5 kVrms |
2,5 kVrms |
2,5 kVrms |
2,5 kVrms |
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Velocidad de datos |
110 Mbps |
110 Mbps |
110 Mbps |
110 Mbps |
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Energía aislada |
No |
No |
No |
No |
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número de canales |
4 |
4 |
4 |
4 |
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Entradas: Lado 1/Lado 2 |
3/1 |
3/1 |
3/1 |
3/1 |
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Tipo de canal |
Unidireccional |
Unidireccional |
Unidireccional |
Unidireccional |
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Inmunidad transitoria en modo común (mín.) |
30kV/nosotros |
30kV/nosotros |
30kV/nosotros |
30kV/nosotros |
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Retardo de propagación tpLH y tpHL (máx.) |
15 ns, 15 ns |
15 ns, 15 ns |
15 ns, 15 ns |
15 ns, 15 ns |
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Distorsión de ancho de pulso (máx.) |
3ns |
3ns |
3ns |
3ns |
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Tiempo de subida/caída (típico) |
1ns,1ns |
1ns,1ns |
1ns,1ns |
1ns,1ns |
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Suministro de voltaje |
3V ~ 5.5V |
3V ~ 5.5V |
3V ~ 5.5V |
3V ~ 5.5V |
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Temperatura de funcionamiento |
-40 grados ~ 100 grados |
-40 grados ~ 100 grados |
-40 grados ~ 100 grados |
-40 grados ~ 100 grados |
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Paquete / Estuche |
WSOP16(7,5x1,27)10,5 |
WSOP16(7,5x1,27)10,5 |
WSOP16(7,5x1,27)10,5 |
WSOP16(7,5x1,27)10,5 |
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Paquete |
Cinta y carrete (TR) |
Cinta y carrete (TR) |
Cinta y carrete (TR) |
Cinta y carrete (TR) |
Aplicaciones:
• ADC y DAC
• Bus de campo digital
• Transmisión de datos multiplexados
• Comunicación de placa a placa
• Eliminación del bucle de tierra
• Autobús paralelo
• Cambio de nivel lógico
• Equipos cubiertos por IEC 61010-1 Edición 3
• Aplicaciones médicas con clasificación IEC 60601-1 de 5 kVRMS
Descripción:
Los aisladores digitales de alta velocidad de cuatro canales IL715, IL716 e IL717 de NVE son dispositivos CMOS fabricados con la tecnología magnetorresistiva gigante (GMR) espintrónica IsoLoop® patentada* de NVE.
Una barrera única compuesta de cerámica/polímero proporciona un excelente aislamiento y una vida útil prácticamente ilimitada.
Todos los canales de transmisión y recepción funcionan a 110 Mbps en todo el rango de temperatura y voltaje de suministro. La barrera de acoplamiento magnético simétrico proporciona un retardo de propagación típico de solo 10 ns y una distorsión de ancho de pulso de 2 ns, logrando las mejores especificaciones de cualquier aislador.
La inmunidad transitoria mínima de 100 kV/μs es insuperable. La alta densidad de canales hace que estos dispositivos sean ideales para aislar ADC y DAC, buses paralelos e interfaces periféricas.
IL715, IL716 e IL717 están disponibles en 16-pin 0.3" y 0.15" SOIC y paquetes QSOP ultraminiatura.
El rendimiento se especifica en un rango de temperatura de -40 grados a +100 grados. Las piezas de las series "T" y "V" tienen una temperatura máxima de funcionamiento de 125 grados.
Las versiones de la Serie V tienen un voltaje de aislamiento extremadamente alto de 6 kVRMS.
Etiqueta: il717etr13, fabricantes y proveedores de il717etr13 en China
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