
FOD3125
Descripción
Parámetros técnicos
The FOD3125 Optocoupler Gate Driver is a robust solution designed for demanding industrial applications, offering extended industrial temperature range (-40°C to 125°C), high noise immunity (35 kV/s minimum Common Mode Rejection), and a peak output current capability of 2.5 A for driving 1200 V/20 A IGBTs. Its use of P-channel MOSFETs allows for an output voltage swing close to the supply rail, enhancing efficiency. With a wide supply voltage range (15 V to 30 V), fast switching speed, and safety features such as Under Voltage LockOut and regulatory approvals (UL1577, pending DIN EN/IEC60747-5-5), it ensures reliable and precise control. Additionally, the device provides >8,0 mm de espacio libre y distancia de fuga, un voltaje de aislamiento de trabajo máximo de 1414 V y es respetuoso con el medio ambiente como dispositivo libre de Pb. En general, el FOD3125 es una opción versátil y confiable para aplicaciones industriales críticas.

Productos relacionados:
|
Pieza del fabricante |
FOD3125 |
|
Descripción |
CONTROLADOR MOSFET OPTOISO IGBT |
|
Existencias |
50000 |
|
Estado del producto |
Activo |
|
Tecnología |
Acoplamiento óptico |
|
número de canales |
1 |
|
Voltaje - Aislamiento |
5000 Vrms |
|
Inmunidad transitoria en modo común (mín.) |
35kV/μs |
|
Retardo de propagación tpLH / tpHL (Máx.) |
400 ns, 400 ns |
|
Distorsión de ancho de pulso (máx.) |
100ns |
|
Corriente: salida alta, baja |
2A,2A |
|
Corriente - Salida máxima |
2A |
|
Voltaje - Directo (Vf) (Típico) |
1.4V |
|
Corriente - CC directa (si) (máx.) |
25mA |
|
Voltaje - Suministro de salida |
15V ~ 30V |
|
Temperatura de funcionamiento |
-40-C ~ 100-C |
|
Paquete / Estuche |
DIP8 (7,62 mm) |
|
Paquete |
Tubo |
Aplicaciones:
• Inversor industrial
• Fuente de poder ininterrumpible
• Calentamiento por inducción
• Unidad de puerta aislada IGBT/MOSFET de potencia
Descripción:
El FOD3125 es un optoacoplador de accionamiento de puerta de corriente de salida de 2,5 A, capaz de controlar la mayoría de los IGBT o MOSFET medianos en un rango de temperatura industrial extendido, de -40 grados a 125 grados. Es ideal para la conducción de conmutación rápida de IGBT y MOSFET de potencia utilizados en aplicaciones de inversores de control de motores y sistemas de energía de alto rendimiento. Utiliza la tecnología de embalaje coplanar patentada por ON Semiconductor, Optoplanar®, y un diseño de circuito integrado optimizado para lograr una alta inmunidad al ruido, caracterizada por un alto rechazo de modo común. Consiste en un diodo emisor de luz de arseniuro de galio y aluminio (AlGaAs) acoplado ópticamente a un circuito integrado con un controlador de alta velocidad para la etapa de salida MOSFET push-pull.
Etiqueta: fod3125, fabricantes y proveedores de fod3125 en China
Envíeconsulta
También podría gustarte







