6N135S-TA1

6N135S-TA1

OPTOISO 5KV TRANS CON BASE 8DIP
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Descripción

Parámetros técnicos

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Pieza del fabricante

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6N135S-TA1

6N135STA1-V

Descripción

OPTOACOPLADOR, FOTOTRANSISTOR FUERA

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Existencias

80000

80000

80000

80000

Estado del producto

Activo

Activo

Activo

Activo

Voltaje - Aislamiento

5000 Vrms

5000 Vrms

5000 Vrms

5000 Vrms

Ratio de transferencia actual (mín.)

7 % a 16 mA

7 % a 16 mA

7 % a 16 mA

7 % a 16 mA

Relación de transferencia actual (máx.)

50 % a 16 mA

50 % a 16 mA

50 % a 16 mA

50 % a 16 mA

Hora de encendido/apagado (típico)

150 ns, 700 ns

150 ns, 700 ns

150 ns, 700 ns

150 ns, 700 ns

Tipo de entrada

corriente continua

corriente continua

corriente continua

corriente continua

Tipo de salida

Transistor de 1MB

Transistor de 1MB

Transistor de 1MB

Transistor de 1MB

Voltaje - Salida (Máx.)

20V

20V

20V

20V

Corriente - Salida / Canal

8 mA

8 mA

8 mA

8 mA

Voltaje - Directo (Vf) (Típico)

1.45V

1.45V

1.45V

1.45V

Corriente - CC directa (si) (máx.)

25 mA

25 mA

25 mA

25 mA

Temperatura de funcionamiento

-55-C ~ 100-C

-55-C ~ 100-C

-55-C ~ 100-C

-55-C ~ 100-C

Paquete / Estuche

SMD8 (7,62 mm)

SMD8 (7,62 mm)

SMD8 (7,62 mm)

SMD8 (7,62 mm)

Paquete

Cinta y carrete (TR)

Cinta y carrete (TR)

Cinta y carrete (TR)

Cinta y carrete (TR)

 

Solicituds:

 

• Aislamiento de alto voltaje

• aislamiento en receptores de línea

• Elemento de retroalimentación en el proveedor de energía en modo de conmutación

• Aislamiento de transistores de potencia en variadores de motor

• Interfaz entre el sistema microprocesador, la computadora y sus periféricos.

• Reemplazar transformadores de impulsos.

• Reemplace los aisladores de optoacopladores más lentos.

 

Descripción General:


El 6N135/6 consta de un diodo emisor de luz AlGaAs de alta eficiencia y un detector óptico de alta velocidad. Este diseño proporciona un excelente aislamiento de CA y CC entre los lados de entrada y salida del optoacoplador. La conexión para la polarización del fotodiodo mejora la velocidad de un acoplador de fototransistor convencional al reducir las capacitancias del colector base. El blindaje interno garantiza una alta inmunidad transitoria en modo común. Una inmunidad transitoria en modo común garantizada es de hasta 1 kV/μs.

Etiqueta: 6n135s-ta1, fabricantes y proveedores de China 6n135s-ta1

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