H11AG2M
Descripción
Parámetros técnicos
Productos relacionados:
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Pieza del fabricante |
H11AG2M |
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Descripción |
OPTOACOPLADOR, FOTOTRANSISTOR FUERA |
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Existencias |
80000 |
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Estado del producto |
Activo |
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Voltaje - Aislamiento |
5000 Vrms |
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Ratio de transferencia actual (mín.) |
200 % a 1 mA |
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Relación de transferencia actual (máx.) |
- |
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Hora de encendido/apagado (típico) |
- |
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Tipo de entrada |
corriente continua |
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Tipo de salida |
transistores CC |
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Voltaje - Salida (Máx.) |
70V |
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Corriente - Salida / Canal |
150 mA |
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Voltaje - Directo (Vf) (Típico) |
1.45V |
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Corriente - CC directa (si) (máx.) |
- |
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Temperatura de funcionamiento |
-55 grados ~ 100 grados |
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Paquete / Estuche |
DIP6 (7,62 mm) |
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Paquete |
Tubo |
Solicituds:
• Confiabilidad de estado sólido impulsada por CMOS
• Detector de timbre telefónico
• Aislamiento de lógica digital
Descripción General:
El dispositivo H11AG1M consta de un diodo emisor IRED de galio, aluminio y arseniuro acoplado con un fototransistor de silicio en un paquete dual en línea. Este dispositivo proporciona la característica única de una alta relación de transferencia de corriente tanto con un voltaje de salida bajo como con una corriente de entrada baja. Esto lo hace ideal para su uso en circuitos lógicos de baja potencia, equipos de telecomunicaciones y aplicaciones de aislamiento de electrónica portátil.
Etiqueta: h11ag2m, fabricantes y proveedores de h11ag2m en China
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