H11D1M
Descripción
Parámetros técnicos
Productos relacionados:
|
Pieza del fabricante |
H11D1M |
|
Descripción |
OPTOACOPLADOR, FOTOTRANSISTOR FUERA |
|
Existencias |
80000 |
|
Estado del producto |
Activo |
|
Voltaje - Aislamiento |
5000 Vrms |
|
Ratio de transferencia actual (mín.) |
20 % a 10 mA |
|
Relación de transferencia actual (máx.) |
600 % a 10 mA |
|
Hora de encendido/apagado (típico) |
5µs,5µs |
|
Tipo de entrada |
corriente continua |
|
Tipo de salida |
Transistor de alta tensión |
|
Voltaje - Salida (Máx.) |
300V |
|
Corriente - Salida / Canal |
100 mA |
|
Voltaje - Directo (Vf) (Típico) |
1.2V |
|
Corriente - CC directa (si) (máx.) |
60mA |
|
Temperatura de funcionamiento |
-55 grados ~ 100 grados |
|
Paquete / Estuche |
DIP6 (7,62 mm) |
|
Paquete |
Tubo |
Solicituds:
• Reguladores de suministro de energía
• Entradas lógicas digitales
• Entradas de microprocesador
• Sistemas de sensores de electrodomésticos
• Controles industriales
Descripción General:
Los 4N38M, H11D1M, H11D3M y MOC8204M son optoaisladores acoplados ópticamente de tipo fototransistor. Un diodo emisor de infrarrojos de arseniuro de galio está acoplado con un fototransistor de silicio NPN de alto voltaje. El dispositivo se suministra en un paquete de plástico estándar de doble línea de seis pines.
Etiqueta: h11d1m, fabricantes y proveedores de h11d1m en China
Envíeconsulta
También podría gustarte
